Samsung Dünyada Bir İlke İmza Attı: Yeni Transistör Teknolojisi Çip Tasarımını Değiştirebilir

samsung, yarı iletken teknolojilerinde önemli bir kilometre taşına ulaştığını duyurdu. şirketin geliştirdiği samsung 3d stacked fet mimarisi, transistörleri dikey olarak istifleyerek çip yoğunluğunu artıran yeni bir yaklaşım sunuyor. vlsi symposium 2026 kapsamında tanıtılan çalışma, geleceğin yapay zekâ işlemcileri ile yüksek performanslı bilgi işlem sistemleri için yeni bir dönemin kapısını aralayabilecek gelişmeler arasında gösteriliyor. geleneksel ölçekleme ….

habere git